功率MOS管主要參數-功率MOSFET每一個參數介紹-KIA MOS管
信息來源：本站 日期：2018-11-16
在使用MOS管設計開關電源或者馬達驅動電路的時候，一般都要考慮MOS的導通電阻，最大電壓等，最大電流等因素。
導通的意思是作為開關，相當于開關閉合。
NMOS的特性，Vgs大于一定的值就會導通，適合用于源極接地時的情況(低端驅動)，只要柵極電壓達到一定電壓（如4V或10V, 其他電壓，看手冊）就可以了。
PMOS的特性，Vgs小于一定的值就會導通，適合用于源極接VCC時的情況(高端驅動)。但是，雖然PMOS可以很方便地用作高端驅動，但由于導通電阻大，價格貴，替換種類少等原因，在高端驅動中，通常還是使用NMOS。
不管是NMOS還是PMOS，導通后都有導通電阻存在，因而在DS間流過電流的同時，兩端還會有電壓，這樣電流就會在這個電阻上消耗能量，這部分消耗的能量叫做導通損耗。選擇導通電阻小的MOS管會減小導通損耗。現在的小功率MOS管導通電阻一般在幾毫歐，幾十毫歐左右。
MOS在導通和截止的時候，一定不是在瞬間完成的。MOS兩端的電壓有一個下降的過程，流過的電流有一個上升的過程，在這段時間內，MOS管的損失是電壓和電流的乘積，叫做開關損失。通常開關損失比導通損失大得多，而且開關頻率越快，導通瞬間電壓和電流的乘積很大，造成的損失也就很大。降低開關時間，可以減小每次導通時的損失；降低開關頻率，可以減小單位時間內的開關次數。這兩種辦法都可以減小開關損失。
MOS管導通不需要電流，只要GS電壓高于一定的值，就可以了。但是，我們還需要速度。
在MOS管的結構中可以看到，在GS，GD之間存在寄生電容，而MOS管的驅動，實際上就是對電容的充放電。對電容的充電需要一個電流，因為對電容充電瞬間可以把電容看成短路，所以瞬間電流會比較大。選擇/設計MOS管驅動時第一要注意的是可提供瞬間短路電流的大小。
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Vds |
DS擊穿電壓.當Vgs=0V時，MOS的DS所能承受的最大電壓 |
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Rds(on) |
DS的導通電阻.當Vgs=10V時，MOS的DS之間的電阻 |
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Id |
最大DS電流.會隨溫度的升高而降低 |
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Vgs |
最大GS電壓.一般為：-20V~+20V |
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Idm |
最大脈沖DS電流.會隨溫度的升高而降低，體現一個抗沖擊能力，跟脈沖時間也有關系 |
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Pd |
最大耗散功率 |
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Tj |
最大工作結溫，通常為150度和175度 |
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Tstg |
最大存儲溫度 |
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Iar |
最大存儲溫度 |
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Ear |
雪崩電流 |
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Eas |
重復雪崩擊穿能量 |
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BVdss |
單次脈沖雪崩擊穿能量 |
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Idss |
DS擊穿電壓 |
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Igss |
飽和DS電流，uA級的電流 |
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gfs |
GS驅動電流，nA級的電流. |
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Qg |
跨導 |
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Qgs |
G總充電電量 |
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Qgd |
GS充電電量 |
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Td(on) |
GD充電電量 |
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Tr |
導通延遲時間，從有輸入電壓上升到10%開始到Vds下降到其幅值90%的時間 |
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Td(off) |
上升時間，輸出電壓 VDS 從 90% 下降到其幅值 10% 的時間 |
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Tf |
關斷延遲時間，輸入電壓下降到 90% 開始到 VDS 上升到其關斷電壓時 10% 的時間 |
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Ciss |
輸入電容，Ciss=Cgd + Cgs. |
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Coss |
輸出電容，Coss=Cds +Cgd. |
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Crss |
反向傳輸電容，Crss=Cgc. |
最大額定參數，所有數值取得條件(Ta=25℃)
VDSS 最大漏-源電壓
在柵源短接，漏-源額定電壓(VDSS)是指漏-源未發生雪崩擊穿前所能施加的最大電壓。根據溫度的不同，實際雪崩擊穿電壓可能低于額定VDSS。關于V(BR)DSS的詳細描述請參見靜電學特性。
VGS 最大柵源電壓
VGS額定電壓是柵源兩極間可以施加的最大電壓。設定該額定電壓的主要目的是防止電壓過高導致的柵氧化層損傷。實際柵氧化層可承受的電壓遠高于額定電壓，但是會隨制造工藝的不同而改變，因此保持VGS在額定電壓以內可以保證應用的可靠性。
ID - 連續漏電流
ID定義為芯片在最大額定結溫TJ(max)下，管表面溫度在25℃或者更高溫度下，可允許的最大連續直流電流。該參數為結與管殼之間額定熱阻RθJC和管殼溫度的函數：
ID中并不包含開關損耗，并且實際使用時保持管表面溫度在25℃（Tcase）也很難。因此，硬開關應用中實際開關電流通常小于ID 額定值@ TC = 25℃的一半，通常在1/3～1/4。補充，如果采用熱阻JA的話可以估算出特定溫度下的ID，這個值更有現實意義。
IDM - 脈沖漏極電流
該參數反映了器件可以處理的脈沖電流的高低，脈沖電流要遠高于連續的直流電流。定義IDM的目的在于：線的歐姆區。對于一定的柵-源電壓，MOSFET導通后，存在最大的漏極電流。如圖所示，對于給定的一個柵-源電壓，如果工作點位于線性區域內，漏極電流的增大會提高漏-源電壓，由此增大導通損耗。長時間工作在大功率之下，將導致器件失效。因此，在典型柵極驅動電壓下，需要將額定IDM設定在區域之下。區域的分界點在Vgs和曲線相交點。
因此需要設定電流密度上限，防止芯片溫度過高而燒毀。這本質上是為了防止過高電流流經封裝引線，因為在某些情況下，整個芯片上最“薄弱的連接”不是芯片，而是封裝引線。
考慮到熱效應對于IDM的限制，溫度的升高依賴于脈沖寬度，脈沖間的時間間隔，散熱狀況，RDS(on)以及脈沖電流的波形和幅度。單純滿足脈沖電流不超出IDM上限并不能保證結溫不超過最大允許值。可以參考熱性能與機械性能中關于瞬時熱阻的討論，來估計脈沖電流下結溫的情況。
PD - 容許溝道總功耗
容許溝道總功耗標定了器件可以消散的最大功耗，可以表示為最大結溫和管殼溫度為25℃時熱阻的函數。
TJ, TSTG - 工作溫度和存儲環境溫度的范圍
這兩個參數標定了器件工作和存儲環境所允許的結溫區間。設定這樣的溫度范圍是為了滿足器件最短工作壽命的要求。如果確保器件工作在這個溫度區間內，將極大地延長其工作壽命。
EAS - 單脈沖雪崩擊穿能量
如果電壓過沖值(通常由于漏電流和雜散電感造成)未超過擊穿電壓，則器件不會發生雪崩擊穿，因此也就不需要消散雪崩擊穿的能力。雪崩擊穿能量標定了器件可以容忍的瞬時過沖電壓的安全值，其依賴于雪崩擊穿需要消散的能量。
定義額定雪崩擊穿能量的器件通常也會定義額定EAS。額定雪崩擊穿能量與額定UIS具有相似的意義。EAS標定了器件可以安全吸收反向雪崩擊穿能量的高低。
L是電感值，iD為電感上流過的電流峰值，其會突然轉換為測量器件的漏極電流。電感上產生的電壓超過MOSFET擊穿電壓后，將導致雪崩擊穿。雪崩擊穿發生時，即使 MOSFET處于關斷狀態，電感上的電流同樣會流過MOSFET器件。電感上所儲存的能量與雜散電感上存儲，由MOSFET消散的能量類似。
MOSFET并聯后，不同器件之間的擊穿電壓很難完全相同。通常情況是：某個器件率先發生雪崩擊穿，隨后所有的雪崩擊穿電流(能量)都從該器件流過。
EAR - 重復雪崩能量
重復雪崩能量已經成為“工業標準”，但是在沒有設定頻率，其它損耗以及冷卻量的情況下，該參數沒有任何意義。散熱(冷卻)狀況經常制約著重復雪崩能量。對于雪崩擊穿所產生的能量高低也很難預測。
額定EAR的真實意義在于標定了器件所能承受的反復雪崩擊穿能量。該定義的前提條件是：不對頻率做任何限制，從而器件不會過熱，這對于任何可能發生雪崩擊穿的器件都是現實的。在驗證器件設計的過程中，最好可以測量處于工作狀態的器件或者熱沉的溫度，來觀察MOSFET器件是否存在過熱情況，特別是對于可能發生雪崩擊穿的器件。
IAR - 雪崩擊穿電流
對于某些器件，雪崩擊穿過程中芯片上電流集邊的傾向要求對雪崩電流IAR進行限制。這樣，雪崩電流變成雪崩擊穿能量規格的“精細闡述”；其揭示了器件真正的能力。
V(BR)DSS：漏-源擊穿電壓(破壞電壓)
V(BR)DSS（有時候叫做VBDSS）是指在特定的溫度和柵源短接情況下，流過漏極電流達到一個特定值時的漏源電壓。這種情況下的漏源電壓為雪崩擊穿電壓。
V(BR)DSS 是正溫度系數，溫度低時V(BR)DSS小于25℃時的漏源電壓的最大額定值。在-50℃, V(BR)DSS大約是25℃時最大漏源額定電壓的90%。
VGS(th)，VGS(off)：閾值電壓
VGS(th) 是指加的柵源電壓能使漏極開始有電流，或關斷MOSFET時電流消失時的電壓，測試的條件（漏極電流，漏源電壓，結溫）也是有規格的。正常情況下，所有的MOS柵極器件的閾值電壓都會有所不同。因此，VGS(th)的變化范圍是規定好的。VGS(th)是負溫度系數，當溫度上升時，MOSFET將會在比較低的柵源電壓下開啟。
RDS(on)：導通電阻
RDS(on) 是指在特定的漏電流（通常為ID電流的一半）、柵源電壓和25℃的情況下測得的漏-源電阻。
IDSS：零柵壓漏極電流
IDSS 是指在當柵源電壓為零時，在特定的漏源電壓下的漏源之間泄漏電流。既然泄漏電流隨著溫度的增加而增大，IDSS在室溫和高溫下都有規定。漏電流造成的功耗可以用IDSS乘以漏源之間的電壓計算，通常這部分功耗可以忽略不計。
IGSS -柵源漏電流
IGSS是指在特定的柵源電壓情況下流過柵極的漏電流。
Ciss：輸入電容
將漏源短接，用交流信號測得的柵極和源極之間的電容就是輸入電容。Ciss是由柵漏電容Cgd和柵源電容Cgs并聯而成，或者Ciss = Cgs +Cgd。當輸入電容充電致閾值電壓時器件才能開啟，放電致一定值時器件才可以關斷。因此驅動電路和Ciss對器件的開啟和關斷延時有著直接的影響。
Coss：輸出電容
將柵源短接，用交流信號測得的漏極和源極之間的電容就是輸出電容。Coss是由漏源電容Cds和柵漏電容Cgd并聯而成，或者Coss = Cds +Cgd對于軟開關的應用，Coss非常重要，因為它可能引起電路的諧振
Crss：反向傳輸電容
在源極接地的情況下，測得的漏極和柵極之間的電容為反向傳輸電容。反向傳輸電容等同于柵漏電容。Cres =Cgd，反向傳輸電容也常叫做米勒電容，對于開關的上升和下降時間來說是其中一個重要的參數，他還影響這關斷延時時間。電容隨著漏源電壓的增加而減小，尤其是輸出電容和反向傳輸電容。
Qgs,Qgd,和Qg：柵電荷柵電荷值反應存儲在端子間電容上的電荷，既然開關的瞬間，電容上的電荷隨電壓的變化而變化，所以設計柵驅動電路時經常要考慮柵電荷的影響。
Qgs從0電荷開始到第一個拐點處，Qgd是從第一個拐點到第二個拐點之間部分（也叫做“米勒”電荷），Qg是從0點到VGS等于一個特定的驅動電壓的部分。
漏電流和漏源電壓的變化對柵電荷值影響比較小，而且柵電荷不隨溫度的變化。測試條件是規定好的。柵電荷的曲線圖體現在數據表中，包括固定漏電流和變化漏源電壓情況下所對應的柵電荷變化曲線。在圖中平臺電壓VGS(pl)隨著電流的增大增加的比較小（隨著電流的降低也會降低）。平臺電壓也正比于閾值電壓，所以不同的閾值電壓將會產生不同的平臺電壓。
下面這個圖更加詳細，應用一下：
td(on)：導通延時時間
導通延時時間是從當柵源電壓上升到10%柵驅動電壓時到漏電流升到規定電流的10%時所經歷的時間。
td(off)：關斷延時時間
關斷延時時間是從當柵源電壓下降到90%柵驅動電壓時到漏電流降至規定電流的90%時所經歷的時間。這顯示電流傳輸到負載之前所經歷的延遲。
tr：上升時間
上升時間是漏極電流從10%上升到90%所經歷的時間。
tf：下降時間
下降時間是漏極電流從90%下降到10%所經歷的時間。
聯系方式：鄒先生
聯系電話：0755-83888366-8022
手機：18123972950
QQ：2880195519
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