电路中，VD1是稳压二极管；Ui是没有经过稳压的直流电压，在这一电路中是输入电...电路中，VD1是稳压二极管；Ui是没有经过稳压的直流电压，在这一电路中是输入电压；Uo是经过这一电路稳定后的直流输出电压，其电压大小稳定。
50n06场效应管漏源击穿电压60V，漏极电流50A，采用KIA半导体LVMosfet技术制造，...50n06场效应管漏源击穿电压60V，漏极电流50A，采用KIA半导体LVMosfet技术制造，低导通电阻RDS(开启) 11mΩ，通过优化工艺和单元结构设计，有效降低导通状态电阻，...
MOS开通时，芯片输出高电平，三极管Q2处于截止状态，高电平通过二极管D1驱动MO...MOS开通时，芯片输出高电平，三极管Q2处于截止状态，高电平通过二极管D1驱动MOS管导通；芯片输出低电平时，二极管D1截止，三极管Q2导通，MOSFET极间寄生电容得以通...
SOP-8（Small Outline Package-8）是一种表面贴装型封装，采用鸥翼形（L形）引...SOP-8（Small Outline Package-8）是一种表面贴装型封装，采用鸥翼形（L形）引脚设计，两排各4个引脚共8个，适合自动化焊接。塑料材质封装，底部无散热片（带“EP...
50n03场效应管漏源击穿电压30V，漏极电流50A，极低导通电阻RDS(开启) 6.5mΩ，...50n03场效应管漏源击穿电压30V，漏极电流50A，极低导通电阻RDS(开启) 6.5mΩ，最大限度地减少导电损耗，提高效率；具有高输入阻抗、低功耗、低交叉电流、快速开关...
