KNM63120A場(chǎng)效應(yīng)管漏源擊穿電壓1200V，漏極電流12A，開關(guān)速度快，高效穩(wěn)定；低...KNM63120A場(chǎng)效應(yīng)管漏源擊穿電壓1200V，漏極電流12A，開關(guān)速度快，高效穩(wěn)定；低導(dǎo)通電阻RDS(on) 1.2Ω，能夠最大限度地減少導(dǎo)電損耗，低柵極電荷最小化開關(guān)損耗；具...
需要點(diǎn)動(dòng)控制時(shí)，按下點(diǎn)動(dòng)復(fù)合按鈕 SB3，其常閉觸點(diǎn)先斷開KM的自鎖電路，隨后S...需要點(diǎn)動(dòng)控制時(shí)，按下點(diǎn)動(dòng)復(fù)合按鈕 SB3，其常閉觸點(diǎn)先斷開KM的自鎖電路，隨后SB3常開觸點(diǎn)閉合，接通啟動(dòng)控制電路，接觸器KM線圈得電吸合，KM主觸點(diǎn)閉合，電動(dòng)機(jī)M啟...
MOSFET的三端標(biāo)記分別為 G， S， D(Gate， Source， Drain)， 電路符號(hào)有多種形...MOSFET的三端標(biāo)記分別為 G， S， D(Gate， Source， Drain)， 電路符號(hào)有多種形式， 最常見的如下圖所示， 以一條垂直線代表溝道(Channel)， 兩條和溝道平行的接線...
KNH9150A場(chǎng)效應(yīng)管漏源擊穿電壓500V，漏極電流40A，采用先進(jìn)平面工藝制造，低導(dǎo)...KNH9150A場(chǎng)效應(yīng)管漏源擊穿電壓500V，漏極電流40A，采用先進(jìn)平面工藝制造，低導(dǎo)通電阻RDS(on) 88mΩ，能夠最大限度地減少導(dǎo)電損耗，低柵極電荷最小化開關(guān)損耗；具有...
BLDC驅(qū)動(dòng)電路中的功率模塊多采用MOS管，MOS管具有低導(dǎo)通電阻和快速開關(guān)速度的特...BLDC驅(qū)動(dòng)電路中的功率模塊多采用MOS管，MOS管具有低導(dǎo)通電阻和快速開關(guān)速度的特性，有利于降低電路功耗。在BLDC驅(qū)動(dòng)電路里，為了實(shí)現(xiàn)電機(jī)的平滑啟動(dòng)，常常會(huì)采用軟...
